23 апреля 2009
Симисторы (симметричные или двунаправленные тиристоры – триаки или triac) – полупроводниковые ключи, предназначенные для работы в сетях переменного напряжения, проводящие ток в обоих направлениях и имеющие симметричную вольт-амперную характеристику. В большинстве случаев симисторы используются в качестве ключевого регулятора переменного тока, вытеснив применяемые ранее для этого устройства, состоящие из двух встречно-параллельно включенных тиристоров.
На рисунке 1 приведены полупроводниковая структура симистора и квадранты с указанием напряжений на электродах для каждого режима работы.
Рис. 1. Полупроводниковая структура симистора и напряжения на электродах при работе в четырех квадрантах
Триак может управляться как положительным, так и отрицательным напряжением между управляющим электродом (затвором) и МТ1 (Main Terminal 1 – основной электрод 1 симистора). Эта особенность позволяет симистору работать во всех четырех секторах. При работе симистора на нагрузку в сети переменного тока 220 В (регуляторы скорости вращения двигателя, регуляторы яркости лампы или диммеры) полярности затвора и основного электрода МТ1 всегда совпадают. Из этого следует, что в таких случаях симисторы работают в первом и третьем квадрантах. При этом параметры коммутации триаков практически одинаковы, а затвор обладает максимальной чувствительностью. Вольт-амперная характеристика переключения для этого случая и основные параметры симистора приведены на рисунке 2.
Рис. 2. Вольт-амперная характеристика и основные параметры симисторов
Ток удержания характеризует минимальное значение тока через симистор, при котором он еще находится в открытом состоянии. Если посмотреть на полупроводниковую структуру симистора, то можно убедиться, что этот прибор не может иметь идеальную симметрию характеристики и параметров, поэтому производители не выпускают триаки на очень большие токи, какие достижимы у тиристоров. Кроме того, у симисторов могут отличаться значения токов управления для разных квадрантов (эти параметры приводятся в документации производителя). Основные параметры наиболее популярных симисторов фирмы ON Semiconductor отражены в таблицах 1 и 2. Наименования для бессвинцовых компонентов производитель приводит с окончанием «G» (от слова Green – зеленый или экологически чистый, в данном случае – не содержащий свинца и других вредных веществ).
Таблица 1. Основные параметры симисторов ON Semiconductor малой и средней мощности
Наименование | Корпус | Iмакс. (А) | Uмакс. (В) | Iперегруз. (А) | IGT (ток затвора), мА (макс.) | |||
Q1 | Q2 | Q3 | Q4 | |||||
MAC97A6 | TO-92 (TO-226AA) | 0,6 | 400 | 8,0 | 5,0 | 5,0 | 5,0 | 7,0 |
MAC97A8 | 600 | |||||||
Z0103MA | 1,0 | 600 | 3,0 | 3,0 | 3,0 | 5,0 | ||
Z0107MA | 5,0 | 5,0 | 5,0 | 7,0 | ||||
Z0109MA | 10 | 10 | 10 | 10 | ||||
Z0103MN | SOT-223 | 3,0 | 3,0 | 3,0 | 5,0 | |||
Z0107MN | 5,0 | 5,0 | 5,0 | 7,0 | ||||
Z0109MN | 10 | 10 | 10 | 10 | ||||
T2322B | TO-225AA (TO-126) | 2,5 | 200 | 25 | 10 | 10 | 10 | 10 |
2N6073A | 4,0 | 400 | 30 | 5,0 | 5,0 | 5,0 | 10 | |
2N6075A | 600 | |||||||
MAC4DHM | D-PAK (Case 369C) | 40 | 5,0 | 5,0 | 5,0 | 10 | ||
MAC4DSM | 10 | 10 | 10 | – | ||||
MAC4DSN | 800 | |||||||
MAC4DCN | 35 | 35 | 35 | – |
Таблица 2. Основные параметры симисторов ON Semiconductor в корпусах TO-220
Наименование | Корпус | Iмакс. (А) | Uмакс. (В) | Iперегруз. (А) | IGT (ток затвора), мА (макс.) | |||
Q1 | Q2 | Q3 | Q4 | |||||
T2500D | TO-220AB | 6 | 400 | 60 | 25 | 60 | 25 | 60 |
MAC8N | TO-220AB | 8 | 800 | 80 | 35 | 35 | 35 | – |
MAC9M | TO-220AB | 600 | 50 | 50 | 50 | – | ||
MAC9N | TO-220AB | 800 | ||||||
MAC228A8 | TO-220AB | 600 | 5 | 5 | 5 | 10 | ||
MAC228A10 | TO-220AB | 800 | ||||||
BTA08-600CW3G | TO-220AB Isolated* | 600 | 90 | 50 | 50 | 50 | – | |
BTA08-800CW3G | TO-220AB Isolated | 800 | ||||||
BTB08-600CW3G | TO-220AB | 600 | ||||||
BTB08-800CW3G | TO-220AB | 800 | ||||||
BTA08-600BW3G | TO-220AB Isolated | 600 | 90 | 50 | 50 | – | ||
BTA08-800BW3G | TO-220AB Isolated | 800 | ||||||
BTB08-600BW3G | TO-220AB | 600 | ||||||
BTB08-800BW3G | TO-220AB | 800 | ||||||
MAC12SM | TO-220AB | 12 | 600 | 5 | 5 | 5 | – | |
MAC12SN | TO-220AB | 800 | ||||||
MAC12M | TO-220AB | 600 | 100 | 35 | 35 | 35 | – | |
MAC12N | TO-220AB | 800 | ||||||
MAC212A8 | TO-220AB | 600 | 50 | 50 | 50 | 75 | ||
MAC212A10 | TO-220AB | 800 | ||||||
BTA12-600CW3G | TO-220AB Isolated | 600 | 105 | 35 | 35 | 35 | – | |
BTA12-800CW3G | TO-220AB Isolated | 800 | ||||||
BTB12-600CW3G | TO-220AB | 600 | ||||||
BTB12-800CW3G | TO-220AB | 800 | ||||||
BTA12-600BW3G | TO-220AB Isolated | 600 | 120 | 50 | 50 | 50 | – | |
BTA12-800BW3G | TO-220AB Isolated | 800 | ||||||
BTB12-600BW3G | TO-220AB | 600 | ||||||
BTB12-800BW3G | TO-220AB | 800 | ||||||
MAC15SM | TO-220AB | 15 | 600 | 5,0 | 5,0 | 5,0 | – | |
MAC15SN | TO-220AB | 800 | ||||||
MAC15M | TO-220AB | 600 | 150 | 35 | 35 | 35 | – | |
MAC15N | TO-220AB | 800 | ||||||
MAC15A6 | TO-220AB | 400 | 50 | 50 | 50 | 75 | ||
MAC15A8 | TO-220AB | 600 | ||||||
MAC15A10 | TO-220AB | 800 | ||||||
MAC16M | TO-220AB | 600 | 50 | 50 | 50 | – | ||
MAC16N | TO-220AB | 800 | ||||||
MAC16CM | TO-220AB | 16 | 600 | 35 | 35 | 35 | – | |
MAC16CN | TO-220AB | 800 | ||||||
BTA16-600CW3G | TO-220AB Isolated | 600 | 170 | 35 | 35 | 35 | – | |
BTA16-600CW3G | TO-220AB Isolated | 800 | ||||||
BTB16-600CW3G | TO-220AB | 600 | ||||||
BTB16-800CW3G | TO-220AB | 800 | ||||||
BTA16-600BW3G | TO-220AB Isolated | 600 | 50 | 50 | 50 | – | ||
BTA16-800BW3G | TO-220AB Isolated | 800 | ||||||
BTB16-600BW3G | TO-220AB | 600 | ||||||
BTB16-800BW3G | TO-220AB | 800 | ||||||
*Isolated – изолированный корпус ТО-220 с внутренней изоляцией кристалла. | ||||||||
Максимально допустимые токи симисторов ON Semiconductor находятся в диапазоне от 0,6 до 16 А. Симисторы одной серии чаще всего отличаются чувствительностью затвора. Для применений с небольшими помехами по цепям питания обычно выбирают приборы с низким током управления. Для работы при больших импульсных помехах предпочтение отдается триакам с высоким значением тока управления (см. значения тока затвора в таблицах 1 и 2). Симисторы характеризуются высоким допустимым током перегрузки, который выше максимально допустимого среднего тока примерно в 10 раз.
Триаками удобно управлять от низковольтных логических выходов. На рисунках 3 и 4 проиллюстрировано управление симистором от логических уровней с обеспечением оптической развязки.
Рис. 3. Включение (открывание) симистора уровнем логического нуля с обеспечением гальванической развязки
Рис. 4. Включение (открывание) симистора уровнем логической единицы с обеспечением гальванической развязки
Минимально допустимое напряжение питания для схем, приведенных на рисунках 3 и 4, ограничено падением напряжения на открытом транзисторе и светодиоде оптрона. Падение напряжения на открытом транзисторе составляет около 0,1 В; падение на открытом светодиоде находится в пределах от 1 до 1,5 В в зависимости от типа оптрона. Падение напряжения на ограничительном резисторе R3 – это разность между напряжением питания логической части схемы (или микроконтроллера) и суммой падений напряжений на открытом транзисторе и светодиоде. Из этих соотношений читатель может легко рассчитать минимально допустимое напряжение питания логической части схемы для надежного открывания симистора. Ток управления симистором будет определяться выходным каскадом оптопары и коэффициентом передачи тока между входом и выходом оптрона (Current Transfer Ratio или CTR).
Описание принципа работы и устройства
Основное отличие этих элементов от тиристоров заключается в двунаправленной проводимости электротока. По сути это два тринистора с общим управлением, включенных встречно-параллельно (см. А на рис. 1) .
Рис. 1. Схема на двух тиристорах, как эквивалент симистора, и его условно графическое обозначение
Это и дало название полупроводниковому прибору, как производную от словосочетания «симметричные тиристоры» и отразилось на его УГО. Обратим внимание на обозначения выводов, поскольку ток может проводиться в оба направления, обозначение силовых выводов как Анод и Катод не имеет смысла, потому их принято обозначать, как «Т1» и «Т2» (возможны варианты ТЕ1 и ТЕ2 или А1 и А2). Управляющий электрод, как правило, обозначается «G» (от английского gate).
Теперь рассмотрим структуру полупроводника (см. рис. 2.) Как видно из схемы, в устройстве имеется пять переходов, что позволяет организовать две структуры: р1-n2-p2-n3 и р2-n2-p1-n1, которые, по сути, являются двумя встречными тринисторами, подключенными параллельно.
Рис. 2. Структурная схема симистора
Когда на силовом выводе Т1 образуется отрицательная полярность, начинается проявление тринисторного эффекта в р2-n2-p1-n1, а при ее смене — р1-n2-p2-n3.
Заканчивая раздел о принципе работы приведем ВАХ и основные характеристики прибора.
ВАХ симистора
Обозначение:
- А – закрытое состояние.
- В – открытое состояние.
- UDRM (UПР) – максимально допустимый уровень напряжения при прямом включении.
- URRM (UОБ) – максимальный уровень обратного напряжения.
- IDRM (IПР) – допустимый уровень тока прямого включения
- IRRM (IОБ) — допустимый уровень тока обратного включения.
- IН (IУД) – значения тока удержания.
Управляющие сигналы
Чтобы добиться желаемого результата с симистором используют не напряжение, а ток. Чтобы прибор открылся, он должен быть на определённом небольшом уровне. Для каждого симистора сила управляющего тока может быть разной, её можно узнать из даташита на конкретный элемент. Например, для симистора КУ208 этот ток должен быть больше 160 мА, а для КУ201 —не менее 70 мА.
Полярность управляющего сигнала должна совпадать с полярностью условного анода. Для управления симистором часто используют выключатель и токоограничительный резистор, если он управляется микроконтроллером – может понадобиться дополнительная установка транзистора, чтобы не сжечь выход МК, или использовать симисторный оптодрайвер, типа MOC3041 и подобных.
Четырёхквадрантные симисторы могут отпираться сигналом с любой полярностью. В этом преимуществе есть и недостаток – может потребоваться увеличенный управляющий ток.
При отсутствии прибор заменяется двумя тиристорами. При этом следует правильно подбирать их параметры и переделывать схему управления. Ведь сигнал будет подаваться на два управляющих вывода.
Особенности
Чтобы иметь полное представление о симметричных тринисторах, необходимо рассказать про их сильные и слабые стороны. К первым можно отнести следующие факторы:
- относительно невысокая стоимость приборов;
- длительный срок эксплуатации;
- отсутствие механики (то есть подвижных контактов, которые являются источниками помех).
В число недостатков приборов входят следующие особенности:
- Необходимость отвода тепла, примерно из расчета 1-1,5 Вт на 1 А, например, при токе 15 А величина мощности рассеивания будет около 10-22 Вт, что потребует соответствующего радиатора. Для удобства крепления к нему у мощных устройств один из выводов имеет резьбу под гайку.
Симистор с креплением под радиатор
- Устройства подвержены влиянию переходных процессов, шумов и помех;
- Не поддерживаются высокие частоты переключения.
По последним двум пунктам необходимо дать небольшое пояснение. В случае высокой скорости коммутации велика вероятность самопроизвольной активации устройства. Помеха в виде броска напряжения также может привести к этому результату. В качестве защиты от помех рекомендуется шунтировать прибор RC цепью.
RC-цепочка для защиты симистора от помех
Помимо этого рекомендуется минимизировать длину проводов ведущих к управляемому выводу, или в качестве альтернативы использовать экранированные проводники. Также практикуется установка шунтирующего резистора между выводом T1 (TE1 или A1) и управляющим электродом.
Виды
Говоря о видах устройств, необходимо принять тот факт, что это симистор считается одним из типов тиристоров. Если существуют различия по работе, в таком случае и тиристор можно представить своего рода разновидностью симистора. Отличия заключаются в управляющем катоде и в разных принципах работы данных тиристоров.
Импортные устройства обширно представлены на российском рынке. Их главное отличие от российских симисторов заключается в том, что они не требуют заблаговременной настройки в самой схеме. Это даёт возможность экономить детали и место в печатной плате. Как правило, они начинают работать одновременно уже после введения в схему. Необходимо только точно выбрать нужный симистор по всем необходимым данным.
Применение
Этот тип полупроводниковых элементов первоначально предназначался для применения в производственной сфере, например, для управления электродвигателями станков или других устройств, где требуется плавная регулировка тока. Впоследствии, когда техническая база позволила существенно уменьшить размеры полупроводников, сфера применения симметричных тринисторов существенно расширилась. Сегодня эти устройства используются не только в промышленном оборудовании, а и во многих бытовых приборах, например:
- зарядные устройства для автомобильных АКБ;
- бытовое компрессорное оборудования;
- различные виды электронагревательных устройств, начиная от электродуховок и заканчивая микроволновками;
- ручные электрические инструменты (шуроповерт, перфоратор и т.д.).
И это далеко не полный перечень.
Одно время были популярны простые электронные устройства, позволяющие плавно регулировать уровень освещения. К сожалению, диммеры на симметричных тринисторах не могут управлять энергосберегающими и светодиодными лампами, поэтому эти приборы сейчас не актуальны.
Развитие технологий
Особенностью 4-квадрантных симметричных тиристоров считается их ложное включение, что может послужить причиной к выходу из строя. Это требует использования дополнительной предохранительной цепочки, содержащей разнообразные компоненты.
Относительно недавно были изобретены 3-х-квадрантные приборы, какие обладают нужными достоинствами:
- За счёт снижения числа требуемых компонентов, плата сделалась ещё более малогабаритной.
- Как следствие, понижение потерь усилия и снижение стоимости готового продукта.
- При отсутствии демпфера и дросселя стало возможно применять симметричные тиристоры в цепях с высокой частотой.
А также упрощение схемы разрешило применять 3-х-квадрантный симистор в нагревательных устройствах: подобная система меньше нагревается и не реагирует на находящуюся вокруг температуру.
Как проверить работоспособность симистора?
В сети можно найти несколько способ, где описан процесс проверки при помощи мультиметра, те, кто описывал их, судя по всему, сами не пробовали ни один из вариантов. Чтобы не вводить в заблуждение, следует сразу заметить, что выполнить тестирование мультиметром не удастся, поскольку не хватит тока для открытия симметричного тринистора. Поэтому, у нас остается два варианта:
- Использовать стрелочный омметр или тестер (их силы тока будет достаточно для срабатывания).
- Собрать специальную схему.
Алгоритм проверки омметром:
- Подключаем щупы прибора к выводам T1 и T2 (A1 и A2).
- Устанавливаем кратность на омметре х1.
- Проводим измерение, положительным результатом будет бесконечное сопротивление, в противном случае деталь «пробита» и от нее можно избавиться.
- Продолжаем тестирование, для этого кратковременно соединяем выводы T2 и G (управляющий). Сопротивление должно упасть примерно до 20-80 Ом.
- Меняем полярность и повторяем тест с пункта 3 по 4.
Если в ходе проверки результат будет таким же, как описано в алгоритме, то с большой вероятностью можно констатировать, что устройство работоспособное.
Заметим, что проверяемую деталь не обязательно демонтировать, достаточно только отключить управляющий вывод (естественно, обесточив предварительно оборудование, где установлена деталь, вызывающая сомнение).
Необходимо заметить, что данным способом не всегда удается достоверно проверку, за исключением тестирования на «пробой», поэтому перейдем ко второму варианту и предложим две схемы для тестирования симметричных тринисторов.
Схему с лампочкой и батарейкой мы приводить не будем в виду того, что таких схем достаточно в сети, если вам интересен этот вариант, можете посмотреть его в публикации о тестировании тринисторов. Приведем пример более действенного устройства.
Схема простого тестера для симисторов
Обозначения:
- Резистор R1 – 51 Ом.
- Конденсаторы C1 и С2 – 1000 мкФ х 16 В.
- Диоды – 1N4007 или аналог, допускается установка диодного моста, например КЦ405.
- Лампочка HL – 12 В, 0,5А.
Можно использовать любой трансформатор с двумя независимыми вторичными обмотками на 12 Вольт.
Алгоритм проверки:
- Устанавливаем переключатели в исходное положение (соответствующее схеме).
- Производим нажатие на SB1, тестируемое устройство открывается, о чем сигнализирует лампочка.
- Жмем SB2, лампа гаснет (устройство закрылось).
- Меняем режим переключателя SA1 и повторяем нажатие на SB1, лампа снова должна зажечься.
- Производим переключение SA2, нажимаем SB1, затем снова меня ем положение SA2 и повторно жмем SB1. Индикатор включится, когда на затвор попадет минус.
Теперь рассмотрим еще одну схему, только универсальную, но также не особо сложную.
Схема для проверки тиристоров и симисторов
Обозначения:
- Резисторы: R1, R2 и R4 – 470 Ом; R3 и R5 – 1 кОм.
- Емкости: С1 и С2 – 100 мкФ х 10 В.
- Диоды: VD1, VD2, VD5 и VD6 – 2N4148; VD2 и VD3 – АЛ307.
В качестве источника питания используется батарейка на 9V, по типу Кроны.
Тестирование тринисторов производится следующим образом:
- Переключатель S3, переводится в положении, как продемонстрировано на схеме (см. рис. 6).
- Кратковременно производим нажатие на кнопку S2, тестируемый элемент откроется, о чем просигнализирует светодиод VD
- Меняем полярность, устанавливая переключатель S3 в среднее положение (отключается питание и гаснет светодиод), потом в нижнее.
- Кратковременно жмем S2, светодиоды не должны загораться.
Если результат будет соответствовать вышеописанному, значит с тестируемым элементом все в порядке.
Теперь рассмотрим, как проверить с помощью собранной схемы симметричные тринисторы:
- Выполняем пункты 1-4.
- Нажимаем кнопку S1- загорается светодиод VD
То есть, при нажатии кнопок S1 или S2 будут загораться светодиоды VD1 или VD4, в зависимости от установленной полярности (положения переключателя S3).
Диагностика в схемах
В некоторых случаях радиолюбитель сталкивается с проверкой симистора, однако не всегда может ее корректно произвести. В случае выхода триака из строя его желательно выпаять из платы и произвести его проверку. Обычный цифровой мультиметр для этой цели не подойдет, поскольку его ток слишком мал, чтобы открыть переход детали. Для этого подойдет обыкновенный стрелочный омметр. Вариантов проверки всего два: использовать стрелочный прибор или собрать спецсхему для этой операции. Для осуществления проверки по первому варианту необходимо руководствоваться следующим алгоритмом:
- Включить прибор в режим измерения величины сопротивления.
- Подключить щупы тестера к эмиттеру и коллектору. Если прибор показывает бесконечное сопротивление, то деталь исправна. Остальные случаи указывают на ее неисправность.
- Соединить базу и вывод Т2. В этом случае сопротивление будет в пределах от 40 до 250 Ом. Если поменять местами щупы, то прибор снова покажет бесконечность. Это свидетельствует об исправности симистора.
Однако первый метод диагностики в некоторых случаях дает не совсем нужные и верные результаты. Очень часто проверенная таким способом деталь в схеме не работает. Это связано с тем, что герметичность ее корпуса нарушена. Недостаток метода — неточная диагностика. Для более точной диагностики следует проверить триак в работе (схема 1). Для этого необходимо использовать лампу накаливания и аккумулятор.
Схема 1. Проверка симметричного тиристора при помощи лампы накаливания и источника питания
В этой схеме симистор будет проверен под нагрузкой. При касании управляющего электрода, лампочка загорится и будет гореть некоторое время, пока не пропадет питание на аноде или ток на базе не будет малой величины. Недостаток метода — простая конструкция, при которой неудобно осуществлять проверку, поскольку следует напаивать провода на выводы триака. После проверки при неисправной детали следует произвести замену.
Таким образом, симисторы используются в управляемых устройствах в качестве электронных ключей, способных пропускать ток в двух направлениях. Их несложно проверить и желательно использовать специальную схему для этой операции.
Полное тепловое сопротивление
Все расчеты по вычислению теплового сопротивления имеет смысл проводить для уже установившегося режима продолжительностью больше 1 с. Для импульсных токов или длительных переходных процессов меньше 1 с эффект отвода тепла уменьшается. Температура просто рассеивается в объеме прибора с очень небольшим достижением теплоотвода. В таких условиях нагрев перехода зависит от полного теплового сопротивления «переход — корпус прибора» Zth j–mb. Поэтому Zth j–mb уменьшается при уменьшении продолжительности импульса тока благодаря меньшему нагреву кристалла. При увеличении продолжительности до 1 с Zth j–mb увеличивается до значения, соответствующего установившемуся режиму Rth j–mb. Характеристика Zth j–mb приводится в документации для двунаправленного и однонаправленного электрического тока импульсами продолжительностью до 10 с.
Способы монтажа триаков
При малых нагрузках или коротких импульсных токах нагрузки (меньше 1 с), можно использовать триак без теплоотводящего радиатора. Во всех остальных случаях его применение необходимо.
Существует три основных метода фиксации триака к теплоотводу — крепление зажимом, крепление винтом и клепка. Наиболее распространены первые два способа. Клепка в большинстве случаев не рекомендуется, так как может вызвать повреждение или деформацию кристалла, что приведет к выходу прибора из строя.
Фиксация к теплоотводу зажимом
Это — предпочтительный метод с минимальным тепловым сопротивлением, так как зажим достаточно плотно прижимает корпус прибора к радиатору. Это одинаково подходит как для неизолированных (SOT82 и SOT78), так и для изолированных корпусов (SOT186 F-корпусов и более ранних SOT186A X-корпусов). SOT78 известен еще как TO220AB.
Фиксация к теплоотводу при помощи винта
- Набор для монтажа корпуса SOT78 включает прямоугольную шайбу, которая должна быть установлена между головкой винта и контактом без усилий на пластиковый корпус прибора.
- Во время установки наконечник отвертки не должен воздействовать на пластиковый корпус триака (тиристора).
- Поверхность теплоотвода в месте контакта с электродом должна быть обработана с чистотой до 0,02 мм.
- Крутящий момент (с установкой шайбы) должен быть между 0,55–0,8 Н·м.
- По возможности следует избегать использования винтов-саморезов, так как это снижает термоконтакт между теплоотводом и прибором.
- Прибор должен быть механически зафиксирован перед пайкой выводов. Это минимизирует чрезмерную нагрузку на выводы.
Тепловое сопротивление
Тепловое сопротивление Rth — это сопротивление между корпусом прибора и радиатором. Этот параметр аналогичен электрическому сопротивлению R = V/I, поэтому тепловое сопротивление Rth = T/P, где T — температура в кельвинах, и P — рассеяние энергии в ваттах.
Для прибора, установленного вертикально без радиатора, тепловое сопротивление задается тепловым сопротивлением «переход — окружающая среда» Rth = Rth j–a.
- Для корпуса SOT82 значение равно 100 К/Вт;
- Для корпуса SOT78 значение равно 60 К/Вт;
- Для корпусов F и X значение равно 55 К/Вт.
Для не изолированных приборов, установленных на теплоотвод, тепловое сопротивление является суммой сопротивлений «переход — корпус», «корпус — теплоотвод» и «теплоотвод — окружающая среда».
Для изолированных корпусов нет ссылки на термосопротивление Rth j–mb, так как Rth mb–h принят постоянным и дан с учетом использования термопасты. Поэтому тепловое сопротивление для изолированного корпуса является суммой тепловых сопротивлений «переходтеплоотвод» и «теплоотвод — окружающая среда».
Rth j–mb или Rth j–h фиксированы и даны в документации к каждому прибору. Rth mb–h также даются в инструкциях по установке для некоторых вариантов изолированного и неизолированного монтажа с использованием или без использования термопасты. Rth h–a регулируется размером теплоотвода и степенью воздушного потока через него. Для улучшения теплоотдачи всегда рекомендуется использование термопасты.
Расчет теплового сопротивления
Для вычисления теплового сопротивления теплоотвода для данного триака (тиристора) и данного тока нагрузки необходимо сначала вычислить рассеяние энергии в триаке (тиристоре), используя следующее уравнение:
Vo и Rs получены из «on-state» характеристики триака (тиристора). Если значения не указанны, то они могут быть получены из графика путем вычерчивания касательной к VT max. Точка на оси VT, где ее пересекает касательная, дает Vo, в то время как тангенс угла наклона касательной дает Rs.
Используя уравнение теплового сопротивления, данное выше, получаем:
Максимально допустимая температура перехода будет достигнута, когда Tj достигает Tj max при самой высокой температуре окружающей среды. Это дает нам T.